В дисертації розроблено нові установки плазмохімічного та газодетонаційного осадження (ГДО) функціональних шарів та відпрацьовано технології формування шарів кремнію та алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) для застосування в напівпровідниковій сонячній енергетиці. Виявлено, що завдяки осадженню АВП к.к.д. сонячних елементів (СЕ) на основі мультикристалічного кремнію можна збільшити практично в 1,3 рази та вперше показана перспективність застосування АВП з низьким показником заломлення для просвітлення контактних шарів ZnO(Al) в тонкоплівкових сонячних елементах. Вперше встановлено, що метод ГДО дозволяє отримати кремнієві шари на металевих підкладинках з високою адгезією. При цьому структура отриманих шарів близька до структури вихідного порошку, а їх рекомбінаційні характеристики близькі до характеристик вихідного матеріалу. Показано, що поверхня отриманого покриття є розвиненою за рахунок чого втрати на відбивання світла в області фоточутливості кремнієвого СЕ різко зменшуються. Запропоновано новий метод формування електродних структур на основі композитів кремній-вуглець для сучасних енергонакопичуючих приладів. Метод базується на застосуванні оптимізованої технології ГДО і дозволяє отримувати електродні шари з високими електрохімічними характеристиками (електрохімічна ємність вище 1000 мАгод/г) та високою циклічною стійкістю (збереження ємності на рівні 1200 мАгод/г при 200 циклах заряд-розряд).