Р17
Разработка методик контроля и измерения параметров кремниевых элементов и типовых радиоэлектронных схем с целью прогнозирования их спецстойкости : отчет о НИР (промежуточ.) / МОН України, ХИРЭ ; науч. рук . А.С. Сердаков ; исполн.: В.А. Алехин и др. – Харьков, 1977. – 120 с.
Разработка методик контроля и измерения параметров кремниевых элементов и типовых радиоэлектронных схем с целью прогнозирования их спецстойкости : отчет о НИР (промежуточ.) / МОН України, ХИРЭ ; науч. рук . А.С. Сердаков ; исполн.: В.А. Алехин и др. – Харьков, 1977. – 120 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
В отчете проанализированы возможности использования существующих методов измерения параметров полупроводниковых материалов при лабораторных исследоааниях их спецстойкости. Даны рекомендации по выбору целесообразных методов. Проведена необходимая детализация выбранных методов и разработаны рекомендации по подбору требующейся аппаратуры, оценке погрешностей, специфике экспериментов.
Предложен новый метод измерения продолжительности жизни неосновных носителей тока в полупроводниковых материалах, от которого можно ожидать увеличения точности измерения и некоторого упрощения светооптического узла измерительной установки.
Предложен новый метод измерения продолжительности жизни неосновных носителей тока в полупроводниковых материалах, от которого можно ожидать увеличения точности измерения и некоторого упрощения светооптического узла измерительной установки.
Тема:
- УДК
- 621.382 Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
- 621.317 Електричні вимірювання ( методи та прилади) Ключові слова
- транзистори, транзисторы, transistors
- вимірювання, измерения, la mesure, measurements
- частота, частота
- напівпровідники, полупроводники, semiconductors, Halbleiter
- світлодіоди, светодиоды, Lumineszenzdioden
- фотопровідність, фотопроводимость, photoconduction
- світловоди, световоды