В дисертаційній роботі показано, що при температурі Т >330 К в міждолинне розсіяння носіїв струму в n-Si суттєвий вклад будугь вносити g-переходи. Виявлено шарувату структуру з декількома типами шарів у CdSb, легованих
Tе та In, а наявність градієнтів концентрації може призводити до появи внутрішніх електричних полів між шарами росту. Виявлені зміни електрофізичних параметрів після Y-опромінення монокристалів n-CdSb пояснюються переважним утворенням в матеріалі радіаційних дефектів акцепторного типу, рівні яких знаходяться в нижній половині забороненої зони, тоді як для монокристалів p-CdSb, n-CdSb - введенням більшої кількості радіаційних дефектів донорного типу в порівнянні з кількістю радіаційних акцепторів та зміщенням рівня Фермі під дією опромінення в область дозволених енергій.