В дисертації розроблено технологічні режими напилення чистих та легованих тонких плівок ТіО2 з заданими та відтворюваними електричними і оптичними властивостями, а також визначені домінуючі механізми струмопереносу, бар'єрні параметри та фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних гетероструктур, виготовлених на основі досліджуваних тонких плівок ТіО2. Дослідження впливу легування тонких плівок ТіО2 показали можливість контрольованої зміни їх електричних і оптичних властивостей, в тому числі ширини заброненої зони, що є необхідним при виготовленні оптоелекіронних приладів для ефективної роботи в різних спектральних діапазонах. Ha основі тонких плівок діоксиду титану виготовлено ряд нових та недосліджених раніше напівпровідникових гетеропереходів: ТіО2/GаSе, ТіО2/GаР, ТіО2/СdТе. Комплексний аналіз електричних і фотоелектричних властивостей виготовлених гетеропереходів свідчить про перспективність їх використання для виготовлення напівпровідникових приладів електроніки, оптоелектроніки і фотовольтаїки.