Розроблено методи формування складних гетеро фазних ієрархічних комплексів неорганічний напівпровідник/органічна фаза (ОФ) шляхом тристадійної ітеркаляційної кристалоінженерії. В сформованих структурах GaSe<ОФ>, InSe<ОФ> виявлено гігантський магнітоторезистивний ефект при кімнатних температурах, явище "від'ємної ємності", прояв квантової ємності та колосальний ріст діелектричної проникності при значенні тангенса кута електричних втрат меншого від 1. Доведено можливість керування вище переліченими параметрами оптично і електрично. На основі отриманих результатів окреслено основні перспективні напрямки практичного застосування таких структур. Доведено здатність перетворення сонячної енергії, її зберігання, з подальшою можливістю віддачі в зовнішнє електричне коло фото конденсаторної електрохімічної системи АВ|0,4М LiI в y-бутиролактоні|n-InSe. Сформульовано засади підвищення її енергоємності.