И88
Исследование принципов построения и разработка макета установки контроля времени жизни носителей заряда в полупроводниковых структурах СВЧ диапазона : отчет о НИР / МОН України, ХИРЭ ; науч. рук. Ю. Е. Гордиенко ; исполн. : Ю. А. Дудкин и др. – Харьков, 1990. – 84 с.
Исследование принципов построения и разработка макета установки контроля времени жизни носителей заряда в полупроводниковых структурах СВЧ диапазона : отчет о НИР / МОН України, ХИРЭ ; науч. рук. Ю. Е. Гордиенко ; исполн. : Ю. А. Дудкин и др. – Харьков, 1990. – 84 с.
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Цель работы - разработан пакет установки для измерения времени жизни носителей заряда в полупроводниках фотомодуляционным фазовым методом при помощи техники СВЧ в диапазоне 10-6:10-2 с. Локальность контроля (1мм) обеспечивается посредством фокусирования излучения освещающего образец до соответствующего уровня и освещени яобразца с помощью световода, введенного в резонаторный измерительный преобразователь и подведенный непосредственно к образцу.