В дисертаційній роботі досліджуються фотоелектричні характеристики
фотоперетворюючої структури на основі гетероструктур аморфного та монокристалічного кремнію (ГАМК), збільшення ефективності структури в комплексі із прийнятими технологічними витратами на виробництво, розробки чисельно-аналітичної моделі процесу переносу носіїв у напівпровідникових структурах на основі ГАМК. Це завдання є актуальним, становить теоретичний інтерес і має практичне значення. Створено і реалізовано нову чисельно-аналітичну модель ГАМК, що дозволяє проводити розрахунки диференціальних та інтегральних характеристик фотоперетворюючих структур з урахуванням щільності станів у щілині рухливості гідрогенізованого аморфного кремнію, що базується на розв'язанні кінетичного рівняння й рівняння Пуассона. Дана система рівнянь розв'язується методом великих часток. На основі запропонованої чисельно-аналітичної моделі створено пакет програм моделювання, що дозволяє проводити ряд досліджень аморфних кремнієвих структур і ГАМК, у результаті яких було виявлено залежності основних фотоелектричних характеристик від їхніх конструктивних параметрів.