Автором дисертації розроблені методи керування й підвищення однорідності
розподілу структурних й електрофізичних параметрів монокристалів GaAs і епітаксійних шарів (ЕШ), вирощених методом рідкофазної епітаксії (РФЕ).
Розглядається вплив часу термообробки, а також часу охолодження на
показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною
стехіометрією і структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії
домішки встановлений вплив стехіометрії на електрофізичні властивості
напівізолюючого нелегованого (НІН) GaAs. Розглянуто особливості одержання
епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Показано
перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного
розподілу дислокацій і зменшення їхньої щільності в епітаксійних шарах.
Запропоновано способи одержання p-n структур GaAs для світлодіодів
інфрачервоного діапазону випромінювання й структур фотовольтаїчних детекторів
рентгенівського діапазону випромінювання методом РФЕ, при використанні
ізовалентного металу-розчинника вісмуту з покращеними приладовими
характеристиками.