Рассмотрены методы управления и повышения однородности распределения структурных и электрофизических параметров монокристаллов GaAs и эпитаксиальных слоев, выращенных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Изучено влияние времени термообработки, а также времени охлаждения на показатели стабильности электрофизических параметров монокристаллов с различной стехиометрией и структурой дислокаций. Методом исследования профилей диффузии примеси установлено влияние стехиометрии на электрофизические свойства полуизолирующих нелегированных GaAs. Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута. Предложены способы получения p-n структур GaAs для светодиодов инфракрасного диапазона излучения и структур фотовольтаических детекторов рентгеновского диапазона излучения методом ЖФЭ, при использовании изовалентного металла - растворителя висмута с улучшенными приборными характеристиками.