Шифр: 621.382(07) Т38
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : учеб. пособие : в 2-х ч. Ч. 2 : Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков ; под общ. ред. Ю. А. Чаплыгина. – Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. – 422 с. : ил. – (Электроника). – ISBN 978-5-94774-585-6. – 121,76
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : учеб. пособие : в 2-х ч. Ч. 2 : Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков ; под общ. ред. Ю. А. Чаплыгина. – Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. – 422 с. : ил. – (Электроника). – ISBN 978-5-94774-585-6. – 121,76
Статистика використання: Видач: 0
Анотація:
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.
Де отримати


Місце видачі: | Кількість: | В наявності: |
Абонемент загальний к. 358 | 2 | 2 |
Тема:
- УДК
- 621.382 Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи Ключові слова
- математичне моделювання, математическое моделирование, mathematical modelling, mathematische Modellierung
- надвеликі інтегральні схеми, НВІС, сверхбольшие интегральные схемы, СБИС
- плазмові технології, плазменные технологии
- літографія, литография
- кремнієві інтегральні схеми, КІС, кремниевые интегральные схемы, КИС
- вироби мікроелектроніки, изделия микроэлектроники
- мікроструктури, микроструктуры