Крижановський В. Г. Розвиток методів аналізу і принципів побудови активних пристроїв з високим коефіцієнтом корисної дії.- Рукопис.
Дисерація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю - 05.12.07 - антені та пристрої мікрохвильової техніки. - Харківський національний університет радіоелектроніки, Харків, 2010.
Дисертаційна робота присвяченарішенню актуальної проблеми підвищення ККД активних пристроїв мікрохвильового діапазону - підсилювачів і автогенераторів класів Е, F та подібних. У роботі розроблено теоритичні методи та принципи побудови активних пристроїв з високим ККД - підсилювачів та автогенераторів на біполярних та польових транзисторах (на Si, GaAs, SiC, GaN), яеі процюють в режимах класів Е, F та інших. Також розроблені нові конструкції підсилювачів та автогенераторів і їх ланок, що узгоджують та фільтрують. Удосконалено теорію підсилювачів класу Е у частині врахування впливу опору стоку та витоку транзистору на умови реалізації цього класу, запропоновано метод та розвинуто теорію розширення смуги частот підсилювачів класу Е. Розвинуто теорію підсилювачів класу F на біполярних та польових транзисторах. Запропоновано ввести новий клас роботи підсилювачів на біполярних транзисторах - клас N. Розвинено теорію автогенераторів класу Е, вперше отримано оцінки для синхронізації цих генераторів. Розроблені кільцеві автогенератори класу Е. Проведено експерементальне дослідженя розроблених конструкцій.
Удосконалено методи аналізу стрічково-щілинних структур, побудовано алгоритми їх розрахунку з метою побудови узгоджувальних пристроїв для підсилювачів з високим ККД.
Ключові слова: Підсилювачі класів Е та F, автогенератори з високим ККД, польові транзистори, транзистори на GaAs, SiC, GaN, чисельне моделювання, періодичні мікросмужково-щілинні структури.